154
ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Приборостроение”. 2012
Рис. 4. Варианты распределения ошибок в элементах профилирования
Вариант, приведенный на рис. 4,
а
,
соответствует такой ситуации,
когда не существует информационных элементов, одновременно со-
держащих ошибки обоих классов искажений. В таком случае стои-
мость устранения ошибок для показателя
q
(
ν
i,h
)
составит:
C
q
= C
1
X
1
q
(
ν
i
,
h
1
)
+ C
2
X
2
q
(
ν
i
,
h
2
),
где С
1
,
С
2
средние стоимости ошибки первого и второго классов
искажений;
X
1
и
X
2
количество информационных элементов с
ошибками первого и второго классов искажений. Очевидно, что для
вариантов, представленных на рис. 4,
б
и
в
,
стоимость устранения
ошибок при показателе
q
(
ν
i
,
h
)
будет аналогичной, так как не учиты-
вается взаимное расположение множеств
X
1
и
X
2
.
В таком случае
стратегия повышения качества данных для всех трех вариантов будет
одинакова при использовании показателя
q
(
ν
i
,
h
).
Стоимость устранения ошибок при использовании оператора
Tr
для варианта, приведенного на рис. 4,
а
:
C
Тr
= C
1
X
1
Tr
(
ν
i
,
h
1
)
+ C
2
X
2
Tr
(
ν
i
,
h
2
).
Поскольку элементы из подмножества
X
1
содержат ошибки лишь
по данному классу искажений
h
1
,
а элементы из подмножества
X
2
только по классу искажений
h
2
,
тогда
Tr
(
ν
i
,
h
1
)
=
q
(
ν
i
,
h
1
),
а
Tr
(
ν
i
,
h
2
)
=
=
q
(
ν
i
,
h
2
).
Откуда C
q
= C
Тr
,
т. е. стоимости устранения ошибок в ин-
формационных элементах для варианта, приведенного на рис. 4,
а
,
равны при использовании любого из показателей.
Однако для вариантов, приведенных на рис. 4,
б
и
в
,
картина ме-
няется. Для варианта на рис. 4,
б
,
стоимость устранения ошибок со-
ставит
C
Тr
= C
1
ATr
(
ν
i
,
h
1
)
+ C
2
BT r
(
ν
i
,
h
2
)
+ C
1
CTr
(
ν
i
,
h
1
)
+ C
2
CTr
(
ν
i
,
h
2
),
где
А
,
B
,
C
подмножества множества
X
,
содержащие ошибки толь-
ко по классам искажений
h
1
,
h
2
и (
h
1
,
h
2
)
соответственно.
Исходя из предположения, выбирается такая стратегия, которая
позволит получить максимальное количество полностью достовер-
ных информационных элементов при минимальных затратах: