Установка измерения поглощенной дозы радиационного излучения на основе транзисторных сенсоров со структурой металл — диэлектрик — полупроводник - page 6

В.В. Андреев, А.А. Столяров, И.В. Соловьев
6
Рис. 3.
Трехмерная модель печатной платы установки
На рис. 3 приведена трехмерная модель печатной платы установки.
Разработанная установка позволяет получать как точечные зна-
чения напряжений затвор-истока, так и функциональные зависимости
тока стока от напряжения, которые представляются в графическом
виде. На рис. 4 представлена передаточная вольт-амперная характе-
ристика, полученная на установке для тестовых полевых транзисто-
ров с каналом
p
-типа.
Рис. 4.
Передаточная вольт-амперная характеристика тестового МДП-
транзистора с каналом
p
-типа:
1
— до облучения;
2
— после гамма-облучения (поглощенная доза 1000 рад)
Пересчет сдвига порогового напряжения может осуществляться с
использованием как калибровочных зависимостей, так и математиче-
ских моделей смещения порогового напряжения в зависимости от
накопленной дозы, например, модели Митчелла [8].
В заключение следует отметить, что полевые транзисторы со струк-
турой металл — диэлектрик — полупроводник могут использоваться в
качестве датчиков накопленной дозы радиации. Небольшие размеры
сенсоров и установок считывания позволяют создать компактные дози-
метры для применения в системах, предъявляющих повышенные требо-
вания к массогабаритным параметрам приборов, таких как летательные
аппараты. Температурная зависимость показаний датчиков может быть
1,2,3,4,5 7,8
Powered by FlippingBook