С.А. Адарчин, В.Г. Косушкин, Е.Н. Адарчина
8
локаций в нем не изменяется. Процесс травления образцов проводил-
ся в течение 3…5 мин.
Количество и характер дефектов, выявленных на образцах, опре-
деляли на исследовательском металлографическом микроскопе мар-
ки Е при увеличении 500
×
. Полученная картина распределения дис-
локаций представлена на рисунке.
2 мкм
а
б
Чувствительный элемент полупроводниковой структуры:
а
не подвергнутой сборочным операциям;
б
после сборочных операций
Определенная плотность дислокаций для полупроводниковой
структуры, не подвергнутой сборочным операциям,
2
10 см
, а для
структуры, участвующей в сборке датчика,
5 2
2 10 см
.
Таким образом, с помощью разработанной методики и с исполь-
зованием результатов нашей предыдущей работы [10] были опреде-
лены изменения основных электрофизических параметров полупро-
водниковых структур чувствительных элементов. Так, смещение
уровней зоны проводимости
4
4, 5 10 эВ
, смещение уровней ва-
лентной зоны
3
6, 5 10 эВ
, изменение ширины запрещенной зоны
3
6 10 эВ
,
уменьшение
подвижности
носителей
до
2 2
2 10 см /(В с)
, изменение концентрации неосновных носителей
составило 0,8 раза. Опытным путем установлено, что одной из при-
чин изменения параметров полупроводников является образование в
них дислокаций под действием механических напряжений. Так, для
кристаллов с механическими напряжениями плотность дислокаций
5 2
2 10 см
, в то время как для кристаллов, свободных от механиче-
ских напряжений, эта величина составила
2
10 см
.
