132
ISSN 0236-3941. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Машиностроение”. 2012
Рис. 1. Схема процесса импульсного лазерного осаждения:
1
—
карусель;
2
—
мишень;
3
—
эксимерный лазер;
4
—
кварцевое окно;
5
—
под-
ложкодержатель;
6
—
подложка;
7
—
нагреватель;
8
—
слой;
9
—
приповерхност-
ная плазма (эрозионный факел)
а
б
Рис. 2. Модуль импульсного лазерного осаждения (
а
)
и сверхвысоковаку-
умный модуль с колонной фокусированных ионных пучков (
б
)
платфор-
мы «Нанофаб-100»
В МГТУ им Н.Э. Баумана проводятся исследования возможности
получения тонких термоэлектрических пленок методом импульсного
лазерного осаждения. Источником лазерного излучения являлся эк-
симерный лазер (Kr—F) с длиной волны лазерного излучения 248 нм,
максимальной энергией до 400 мДж, длительностью импульса 30 нс
и частотой следования импульсов до 10 Гц. В качестве мишеней ис-