ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. «Приборостроение». 2012
68
родействием, низким дифференциальным сопротивлением, что поз-
воляет жестко фиксировать максимальное напряжение, прикладыва-
емое к транзистору. Однако в динамическом режиме через эти диоды
протекают большие токи перезаряда емкостей, что может привести к
их перегреву и последующему выходу из строя.
Возможно использование способа выравнивания напряжений,
прикладываемых к транзисторам в динамическом режиме, когда па-
раллельно транзисторам подключаются дополнительные емкости, зна-
чение которых зависит от номера транзистора. Подключив параллель-
но транзисторам емкости, вычисляемые по формуле
C
(
N
)
=
= N
2
C
монт
/
2,
и произведя повторно расчет напряжений, прикладывае-
мых к транзисторам, убеждаемся в том, что напряжения на транзисто-
рах равны друг другу. Таким образом, использование выравнивающих
емкостей устраняет разброс напряжений, обусловленный наличием
паразитной емкости корпусов транзисторов на корпус ключа.
Приведенный расчет не учитывает влияния ряда факторов, кото-
рые на практике имеют место: выходная емкость транзисторов нели-
нейно зависит от напряжения, прикладываемого к их выходным
электродам. Не учтено также наличие эффекта Миллера и то обстоя-
тельство, что параллельно выходным емкостям транзисторов под-
ключены их собственные сопротивления.
Из полученных результатов можно сделать следующие выводы:
наличие паразитных емкостей транзисторов на корпус ключа
приводит к разности падений напряжения на отдельных транзисторах.
Чем больше величина этой емкости, тем больше разность напряжений;
применение дополнительных конденсаторов, подключенных
параллельно транзисторам высоковольтного твердотельного ключа,
позволяет значительно уменьшить разброс напряжений на транзисто-
рах. Это в свою очередь уменьшает вероятность возникновения таких
перенапряжений на транзисторах, которые могу привести к выходу
их из строя. В результате повышается надежность работы твердо-
тельных ключей.
Эти выводы неоднократно проверялись при проектировании и
наладке высоковольтных твердотельных ключей, использованных в
различных РПДС. Их справедливость подтвердилась положительны-
ми результатами высоковольтных испытаний.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1.
В а м б е р с к и й М. В., К а з а н ц е в В. И., Ш е л у х и н С. А. Передающие
устройства СВЧ: / Под ред. М.В. Вамберского. – М.: Высш. шк., 1984. – 448 с.
2.
Solid-state High Voltage Pulse Modulators for High Power Microwave Applications.
Dr. Marcel P.J. Gaudreau, Dr. Jeffrey Casey, J. Michael Mulvaney, Michael A.
Kempkes / Diversified Technologies, Inc., USA // Proceedings of EPAC. 2000, Vi-
enna, Austria. – Р. 3134–3136.