ISSN 0236-3933. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. «Приборостроение». 2012
327
мой сосредоточенной реактивности. Желательно выбрать ширину
вибратора
а
и толщину диэлектрической подложки
d
как можно
меньше, так как при этом можно добиться минимальной емкости ще-
ли, что устранит ее шунтирующее влияние на емкость включаемого в
зазор вибратора дискретного коммутатора. При использовании опто-
электронного ключа, изменяя ширину зазора при минимальных
а
и
d
,
можно добиться большего диапазона изменения сосредоточенной ре-
активности.
Рис. 5. Зависимость фазы коэффициента отражения от толщины подложки:
—
d
= 0,01
;
– – –
—
d
= 0,02
;
–
–
–
—
d
= 0,03
;
— —
—
d
= 0,04
Увеличение ширины вибраторов приводит к уменьшению кру-
тизны и диапазона изменения фазовых кривых
.
На рис. 6 приведе-
ны зависимости фазы коэффициента отражения от длины вибратора
при различной ширине. Для исследования использовалась модель с
периодом
0, 5 ,
T
толщина кремниевой ( 11, 9
)
подложки
0, 01 ,
d
расстояние до экрана
0, 25 .
h
При проектировании период решетки
Т
следует выбирать макси-
мальным для заданного угла сканирования, так как уменьшение пе-
риода приводит к увеличению числа коммутаторов. На толщину под-
ложки могут быть также наложены технологические ограничения,
поэтому наиболее приемлемым для получения требуемых характери-
стик является соответствующий выбор (или подстройка) расстояния
до экрана.
На рисунке 7
показаны зависимости фазы коэффициента отраже-
ния от значения воздушного зазора между решеткой и экраном. Тол-
щина подложки неизменна —
0, 01 ,
d
период решетки
0,5 ,
T
ширина вибраторов
0, 01 .
a