Конструкторско-технологическое проектирование микроэлектронных нелинейных преобразователей СВЧ радиосигналов на основе многослойных полупроводниковых наноразмерных резонансно-туннельных гетероструктур - page 6

6
С.А. Мешков
ной гетероструктуры;
Y
— вектор электрических параметров (показате-
ли качества назначения) устройства,
t
— время эксплуатации,
— век-
тор разбросов (технологическая точность) параметров конструкции
СВЧ устройства и полупроводниковой гетероструктуры;
— вектор
допустимых отклонений (допуски) на электрические параметры (по-
казатели качества назначения) нелинейных преобразователей радио-
сигналов устройства.
,
i
i
i
P P
P
P
à Ô
ïÑÐ
Ô
Ã
где
Р
Г
— вероятность выхода годных СВЧ устройств,
max
min
( ) ,
Y
Y
P f Y dY
Ã
где
f
(
Y
) — совместная функция плотности вероятности электричес-
ких параметров (показатели качества назначения) СВЧ устройства;
Y
min
,
Y
max
— границы поля допуска
на электрические параметры (показа-
тели качества назначения) СВЧ устройства. Иллюстрация приведена на
рис. 3, где
Y
NOM
— номинал электрического параметра (показателя ка-
чества назначения) устройства;
P
i
Ф
— вероятность выполнения задан-
ных функций устройством с параметром
Y
i
(рис. 3), где
MIN
P
Ô
— мини-
мально допустимая вероятность выполнения устройством заданных
функций,
P
i
Г
— вероятность попадания параметра
Y
i
в элементарный
интервал
Y
i
(рис. 4).
Рис. 3.
Зависимость вероятности
выполнения устройством заданных
функций от величины отклонения
электрического параметра (показа-
теля качества назначения) от номи-
нального значения
Рис. 4.
Определение вероятности
выхода годных СВЧ устройств
1,2,3,4,5 7,8,9,10,11,12
Powered by FlippingBook