10
B.В. Андреев, А.А. Столяров, Д.М. Ахмелкин, А.В. Романов
гать при температурах не ниже 200 °C, а модификацию характеристик
проводить с учетом стекания части заряда при отжиге.
Для определения величины термостабильной компоненты накоплен-
ного в диэлектрике отрицательного заряда после инжекционной моди-
фикации МДП-структуры подвергались отжигу при температуре 200 °C
в течение 20 мин. На рис. 5 показаны зависимости приращения напряже-
ния на МДП-структуре в процессе модификации сильнополевой инжек-
цией из кремния (
1
,
2
) и после отжига при 200 °C (
1
ʹ,
2
ʹ) от плотности
инжектированного заряда для образцов III и IV группы (табл. 1). Как
видно из рис. 5, повышение концентрации фосфора в пленке ФСС при-
водит как к возрастанию плотности захваченного в диэлектрике отри-
цательного заряда (кривая
2
), так и увеличению термостабильной ком-
поненты отрицательного заряда (кривая
2
ʹ).
Аналогичный характер имели изменения зависимостей приращения
напряжения на МДП-структуре в процессе модификации и после от-
жига при 200 °C для всех семи групп образцов, приведенных в табл. 1.
При отжиге инжекционно-модифицированной МДП-структуры в тече-
ние 20 мин при 200 °C релаксировало около 50% отрицательного за-
ряда, и дальнейший отжиг практически не оказывал влияния на изме-
нение зарядовых характеристик образца. Проведение даже кратковре-
менного отжига в течение 5 мин при температуре 100 °C уменьшало
плотность поверхностных состояний модифицированной структуры до
значений, имевшихся до модификации.
Таким образом, проведенные исследования указывают на перспек-
тивность использования сильнополевой туннельной инжекции для мо-
Рис. 5.
Зависимости приращения напряжения на МДП-структуре
в процессе модификации (
1
,
2
) и после отжига при 200 °C (
1
ʹ,
2
ʹ)
от плотности инжектированного заряда для образцов различных
групп (см. табл. 1): III — (
1
,
1
ʹ); IV — (
2
,
2
ʹ)
1
2
