11
Исследования деградации резонансно-туннельных диодов ...
[10] Георгиевский А.М., Громов Д.В., Дудинов К.В. Исследование направлений
применения резонансно-туннельного диода в интегральных схемах СВЧ
диапазона.
Микроэлектроника
, 1996, т. 25, № 4, 249 с.
[11] Белов Л.А.
Преобразователи частоты. Современные ВЧ-компоненты
. Мо-
сква, Электроника: наука, технологии, бизнес, 2004, № 2, 44 с.
[12] Иванов Ю.А., Мешков С.А., Попов И.И. Повышение показателей качества
назначения субгармонического смесителя радиосигналов за счет применения
резонансно-туннельного диода.
Сетевой электронный научный журнал «Си-
стемотехника»
, 2010, № 8.
[13] Алкеев Н.В.
Анализ шумовых и динамических свойств субгармонического
смесителя на резонансно-туннельном диоде
. Москва, Радиотехника и элек-
троника, 2004, т. 49, № 104, 1258 с.
[14] Горлов М.И., Строгонов А.В. Геронтология интегральных схем: прогнози-
рование долговечности ИС.
Петербургский журнал электроники
, 1996,
№ 4, с. 35–41.
[15] IR-VASE User’s Manual / J.A.Woollam Co., Inc., 2006.
[16] Mei P., Yoon H.W., Venkatesan T., Schwarz S.A., Harbison J.P. Kinetics of silicon-
induced mixing of AlAs-GaAssuperlattices.
Appl. Phys. Lett
., 1987, vol. 50,
№ 25, pp. 1823–1825.
[17] Yu S., Gösele U.M., Tan T.Y. Amodel of Si Diffusion in GaAs based on the effect
of the Fermi level.
J. Appl. Phys.
, 1989, vol. 66, № 7, pp. 2952–2961.
[18] Tan T.Y., Gösele U. Mechanisms of doping
-
enhanced superlattice disordering and
of gallium self
-
diffusion in GaAs.
Appl. Phys. Lett.
, 1988, vol. 52, № 15,
pp. 1240–1242.
[19] Tan T.Y., Yu S., Gösele U. Determination of vacancy and self
-
interstitial contribu-
tions to gallium self
-
diffusion in GaAs.
J. Appl. Phys.
, 1991, vol. 70, № 9,
pp. 4823–4826.
[20] Gösele U. et al. Diffusion in GaAs and related compounds: recent developments.
Defect and Diffusion Forum
, 1997, vols. 143–149, pp. 1079–1094.
[21] Chen C.-H., Gösele U.M., Tan T.Y. Dopant diffusion and segregation in semicon-
ductor heterostructures: Part III, diffusion of Si into GaAs.
Appl. Phys. A
, 1999,
vol. 69, pp. 313–321.
[22] You H.
-
M., Gösele U.M., Tan T.Y. A study of Si outdiffusion from predoped
GaAs.
J. Appl. Phys.
, 1993, vol. 73, no. 11, pp. 7207–7216.
[23] Harrison I., Ho H.P, Baba Ali N. Diffusion induced disorder of GaAs/AlGaAs
superlattices.
J. of Electronic Materials
, 1991, vol. 20, no. 6, pp. 449–456.
[24] Pavesi L. et al. Role of point defects in the silicon diffusion in GaAs and
Al
0.3
Ga
0.7
As and in the related superlattice disordering.
J. Appl. Phys
. 1992,
vol. 71, no. 5, pp. 2225–2237.
[25] Lee K.H., Stevenson D.A., Deal M.D. Diffusion kinetics of Si in GaAs and related
defect chemistry.
J. Appl. Phys.
, 1990, vol. 68, no. 8, pp. 4008–4013.
[26] Bracht H., Haller E.E., Eberl K., Cardona M.. Self- and interdiffusion in
Al
X
Ga
1-X
As/GaAs isotope heterostructures.
Appl Phys. Lett.
, 1999, vol. 74, no. 1,
pp. 49–51.
[27] Wee S.F., Chai M.K., Homewood K.P., Gillin W.P. The activation energy for
GaAs/AlGaAsinterdiffusion.
J. Appl. Phys.
, 1997, vol. 82, no. 10, pp. 4842–4846.
[28] Olmsted B.L., Houde-Walter S.N. Al-Gainterdiffusion through group III-
vacancy second nearest-neighbor hopping.
Appl. Phys. Lett.
, 1993, vol. 63, no. 4,
p. 530–532.
[29] Wang L., Hsu L., Haller E.E. et al. Gaself-diffusion in GaAsisotope
heterostructures.
Phys. Rev. Lett.
, 1996, vol. 76, pp. 2342–2345.
[30] Ono H., Ikarashi N., Baba T. Al diffusion into GaAs monatomic AlAs layers
investigated by localized vibrational modes.
Appl Phys. Lett.
, 1995, vol. 66, no. 5,
pp. 601–603.
