Инженерный журнал: наука и инновацииЭЛЕКТРОННОЕ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ИЗДАНИЕ
свидетельство о регистрации СМИ Эл № ФС77-53688 от 17 апреля 2013 г. ISSN 2308-6033. DOI 10.18698/2308-6033
  • Русский
  • Английский
Статья

Особенности формирования субмикронных пленок теллурида висмута методом импульсного лазерного осаждения

Опубликовано: 06.11.2012

Авторы: Григорьянц А.Г., Мисюров А.И., Шупенев А.Е.

Опубликовано в выпуске: #6(6)/2012

DOI: 10.18698/2308-6033-2012-6-234

Раздел: Машиностроение | Рубрика: Лазерные технологии

Использование наноразмерных термоэлектрических структур - перспективное направление развития конструкций термоэлектрических модулей. Тонкопленочные структуры теллурида висмута были получены в МГТУ им. Н.Э. Баумана методом импульсного лазерного осаждения. Проанализированы толщины и поверхности осажденных при различных режимах структур теллурида висмута. Приведена зависимость толщины осажденного слоя от температуры нагревателя и энергетических параметров лазерного излучения. Даны общие оценки стехиометрической однородности пленок в зависимости от режимов осаждения.


Литература
[1] Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе теллурида висмута. — М.: Наука, 1972
[2] Осаждение тонких пленок Bi2Te3 и Sb2Te3 методом импульсной лазерной абляции/ И.С. Виртидр. // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44