Некоторые аспекты применения ультрафиолетового лазерного излучения в технологиях микроэлектроники
Опубликовано: 06.11.2012
Авторы: Голубенко Ю.В., Богданов А.В.
Опубликовано в выпуске: #6(6)/2012
DOI: 10.18698/2308-6033-2012-6-238
Раздел: Машиностроение | Рубрика: Лазерные технологии
Рассмотрены возможности применения ультрафиолетового лазерного излучения в технологиях микроэлектроники.
Литература
[1] Поверхностные самоподобные нанодоменные структуры, индуцированные лазерным излучением в ниобате лития / В.Я. Шур, Д.К. Кузнецов, А.И. Лобов идр. // Физика твердого тела. 2008. Т. 50. Вып. 4
[2] Агеев Э.И. Модификация структуры стеклокерамических материалов лазерными импульсами ультракороткой длительности. III Всеросс. межвуз. конф. молодых ученых: Сборник тез.
[3] Конюшин А.В., Сахадин Г.В. Лазерные технологии в производстве микрокомпонентов // ЖурналРИТМ. 2011
[4] Мендес М. Обработка пластин импульсным УФ-излучением DPSSлазеров // Solid State Technology. Т. 55. Вып. 2
[5] Уэда Т., Ишида М., Масааки Ю. Отделение тонких пленок GaN с сапфировой подложки УФ лазерным излучением // Японский журнал прикладной физики. 2011. Вып. 4