Способ выращивания кристаллов в условиях управляемого градиента температуры в расплаве | Инженерный журнал: наука и инновации
Инженерный журнал: наука и инновацииЭЛЕКТРОННОЕ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ИЗДАНИЕ
свидетельство о регистрации СМИ Эл № ФС77-53688 от 17 апреля 2013 г. ISSN 2308-6033. DOI 10.18698/2308-6033
  • Русский
  • Английский
Статья

Способ выращивания кристаллов в условиях управляемого градиента температуры в расплаве

Опубликовано: 08.10.2014

Авторы: Сидоров В.С., Стрелов В.И., Безбах И.Ж., Крицкий О.В., Радченко И.Н.

Опубликовано в выпуске: #8(32)/2014

DOI: 10.18698/2308-6033-2014-8-1264

Раздел: Машиностроение | Рубрика: Материаловедение

Разработан способ выращивания кристаллов для метода направленной кристаллизации с помощью перемещения осевого температурного поля без перемещения образца или нагревателя. Управление осевым тепловым потоком, обеспечивающим поддержание постоянной скорости кристаллизации, осуществляется с помощью двух нагревателей по данным расположенных на оси термопар над и под кристаллом. Управление всеми параметрами процесса кристаллизации в режиме реального времени осуществляется с помощью разработанного универсального компьютерного интерфейса. Интерфейс отображает температуру на нагревателях и образце, скорость ее изменения на всех этапах процесса роста, управляющие коэффициенты, амплитуду, частоту и спектр дискретного преобразования Фурье подводимых механических возмущений (ускорений), угол отклонения оси роста кристалла от направления вектора гравитации. Установка позволяет проводить эксперименты по физическому моделированию процессов тепломассопереноса при выращивании полупроводниковых кристаллов.


Литература
[1] Картавых А.В., Копелиович Э.С., Мильвидский М.Г. Анализ осевых профилей распределения примеси в монокристаллах Ge(Sb), выращенных методом бестигельной зонной плавки в космосе. Кристаллография, 1998, 6, с. 1136-1141
[2] Strelov V.I., Zakharov B.G., Sidorov V.S. Investigations into growth of semiconductor crystals with high microhomogeneity of properties under microgravity simulating conditions. Journal of Crystal Growth, 2002, vol. 241. pp. 74-84
[3] Стрелов В.И., Захаров Б.Г., Сидоров В.С. Микрооднородность кристаллов, выращенных методом направленной кристаллизации. Труды IV Междунар. конф. "Рост монокристаллов и тепломассоперенос" (ЮБС-2001). Обнинск, 2001, с. 1050-1058
[4] Безбах И.Ж., Сидоров В. С., Стрелов В.И. Особенности процессов тепломассопереноса при слабых конвективных течениях. Труды V Меж-дунар. конф. "Рост монокристаллов и тепломассоперенос" (ICSH 2003). Обнинск, 2003, с. 742-749
[5] Стрелов В.И., Захаров Б.Г., Сидоров В.С. Моделирование процессов тепломассопереноса при росте кристаллов методом направленной кристаллизации для земных и космических условий. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2003, № 7, с. 75-80
[6] Пузырев В.А. Управление технологическими процессами производства микроэлектронных приборов. Москва, Радио и связь, 1984, 160 с.
[7] Сидоров В.С., Захаров Б.Г., Серебряков Ю.А. Установка для выращивания кристаллов с моделированием условий кристаллизации при микрогравитации. Приборы и техника эксперимента, 1999, № 2, с. 148-152