Устройства наногетероструктурной электроники позволяют получить совершенно новые, ранее недостижимые свойства РЭС. Принцип работы таких устройств основан на квантоворазмерных эффектах в наноразмерных слоях составляющих их полупроводниковых гетероструктур. Одна из основных проблем, сдерживающих широкое применение указанных изделий в различных радиоэлектронных системах, состоит в недостаточном уровне их надежности (гамма-процентная наработка, согласно опубликованным данным, составляет "четыре девятки" 3-4 года). Это недостаточно для РЭС, используемых в тех областях приборостроения, где цена отказа чрезвычайно велика. Так, для авиационного приборостроения необходимы приемные и передающие устройства с гамма-процентной наработкой в два раза большей, для космической отрасли - в три-четыре раза. В связи с чем, актуальным и важным является вопрос обеспечения надежности таких приборов. Авторами разработана математическая модель и алгоритм проведения конструкторско-технологической оптимизации радиоэлектронных средств нового поколения на базе приборов, функционирующих на квантоворазмерных эффектах в их полупроводниковых гетероструктурах, по критерию их надежности. Показано, что выбор рациональных конструкторско-технологических решений позволяет обеспечить заданный уровень надежности этих изделий.