Инженерный журнал: наука и инновацииЭЛЕКТРОННОЕ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ИЗДАНИЕ
свидетельство о регистрации СМИ Эл № ФС77-53688 от 17 апреля 2013 г. ISSN 2308-6033. DOI 10.18698/2308-6033
  • Русский
  • Английский
Статья

Наноэлектромеханический преобразователь с автоэлектронной эмиссией — новый приемник длинноволнового оптического излучения

Опубликовано: 28.01.2013

Авторы: Грузевич Ю.К., Солдатенков В.А., Ачильдиев В.М., Бедро Н.А., Воронин И.В., Седова А.Д.

Опубликовано в выпуске: #12(12)/2012

DOI: 10.18698/2308-6033-2012-12-491

Раздел: Приборостроение | Рубрика: Оптотехника

На основе наноэлектромеханического преобразователя с автоэлектронной эмиссией разработан принципиально новый приемник оптического излучения, чувствительный в длинноволновой области спектра. Рассмотрены технические аспекты повышения чувствительности таких приемников и приведены особенности нанотехнологии их изготовления.


Литература
[1] Фрайден Дж. Современные датчики: справочник. М.: Техносфера, 2006. 592 с.
[2] Пат. РФ № 2447411. Способ изменения температуры, термоэлектронно-механический преобразователь с автоэлектронной эмиссией и способ его изготовления / В.А. Солдатенков, Ю.К. Грузевич, В.М. Ачильдиев. Опубл. 10.04.2012
[3] Кутателадзе С.С. Основы теории теплообмена. М.: Атомиздат, 1979. 415 с.
[4] Еременко С.Ю. Методы конечных элементов в механике деформируемого твердого тела. Харьков: Основа, 1991. 272 с.
[5] Егоров Н.В., Шешин Е.П. Автоэлектронная эмиссия. Принципы и приборы. М.: Издательский дом «Интеллект», 2011. 704 с.
[6] Сливков И.Н., Михайлов В.И., Сидоров А.И., Настюха А.И. Электрический пробой и разряд в вакууме. М. : Атомиздат, 1966. 298 с.
[7] Дюжев Н.А., Тишин Ю.П. Молибденовая и кремниевая технология плоских экранов. М.: Электроника. № 1. 2001. С. 50–53
[8] Татаренко Н.И., Кравченко А.Ф. Автоэмиссионные структуры и приборы на их основе. М.: Физмалит, 2006. 192 с.
[9] Пестов Ю.И., Макин В.С. Лазерно-индуцированное формирование конусообразных выступов на поверхности сверхтугоплавких металлов // Оптический журнал. 2008. Т. 75. № 6. С. 34–42
[10] Гаврилов С.А., Рощин В.М., Шевяков В. И. Наноструктуры и элементы наноэлектроники на базе метода локального зондового окисления // Нанотехнологии в электронике / под ред. Ю.А.Чаплыгина. М.: Техносфера, 2005. С. 77–96