Исследования деградации резонансно-туннельных диодов на базе AlAs/GaAs наногетероструктур
Опубликовано: 15.10.2013
Авторы: Макеев М.О., Иванов Ю.А., Мешков С.А., Литвак Ю.Н., Ветрова Н.А.
Опубликовано в выпуске: #6(18)/2013
DOI: 10.18698/2308-6033-2013-6-811
Раздел: Наноинженерия