3 / 11
Перспективный облик высокотемпературной ядерной энергетической установки
Инженерный журнал: наука и инновации
# 9·2016 3
Условие (1) можно переписать в виде:
,
≤
РТ
p d a
(3)
где
Б ср
/133, 3
a
a k T
=
σ
.
В табл. 1 приведены значения
a
для разных температур эмиттера
в парах Cs и Ba. Значения сечений рассеяния электрона на атомах РТ
взяты из [3] и [4].
Таблица 1
Э
,К
T
а
, мм
⋅
торр
Cs
Ba
2000
0,031
0,5
2200
0,035
0,58
2400
0,04
0,65
2600
0,0435
0,725
На рис. 1 представлена зависимость величины МЭЗ от темпера-
туры эмиттера и давления РТ исходя из критерия рассеяния.
Рис. 1.
Зависимость межэлектродного зазора
от температуры эмиттера и давления РТ
Плотность тока можно увеличить и другим способом — за счет
повышения температуры эмиттера и бинарного наполнения ТЭП
(Cs + Ba). При вводе паров бария в МЭЗ получают необходимую ра-
боту выхода эмиттера при высокой температуре и практически до-
стижимую величину МЭЗ. Однако это влечет за собой и повышение
работы выхода коллектора, следовательно, данный режим вызывает
интерес с практической точки зрения лишь при высокой температуре
не только эмиттера (2400…3000 К), но и коллектора (1400…1800 К).
Отдельного внимания в этом случае заслуживает проблема выбора
конструкционных материалов ЭГК, так как при сверхвысоких темпе-
ратурах многие материалы вступают в химическую реакцию с РТ,
особенно с химически активным барием.