5
Перспективы получения нанометровойшероховатости поверхности ионно-лучевымметодом
= 130°;
= –5°;
Y
p
(–5°) = 1/cos(–5°) = 1,0353
= 110°;
= 15°;
Y
p
(15°) = 1/cos(15°) = 1,0353
= 95°;
= 20°30';
Y
p
(20°30') = 1/cos(20°30') = 1,08239
Следующим этапом работы было исследование рельефа поверх-
ности ситалловой подложки с помощью атомно-силового микроскопа
Solver Next до ионно-лучевой обработки и после воздействия на нее
потока ионов с энергией порядка 1 кэВ, направляемого под углами 20
и 90° к поверхности подложки. Профиллограммы (рис. 4) рельефа ис-
ходной поверхности ситалловой подложки позволят оценить обосно-
ванность представления микронеровностей в виде пирамид.
В результате проведенных экспериментов можно отметить, что при
травлении подложки под углом в 20° микрорельеф становится более
однородным по глубине, в то время как при травлении под углом в 90°
наблюдается появление отдельных микроуглублений.
Как было отмечено выше, на коэффициент распыления существен-
но влияет энергия падающих ионов. Нетрудно предположить, что энер-
гия ионов оказывает влияние и на шероховатость обрабатываемой по-
верхности. Из литературы известно, что максимальная энергетическая
эффективность ионного распыления лежит в диапазоне энергий ионов
300…500 эВ. При этом наибольшая доля энергии иона расходуется на
Окончание табл. 1
