Демпфер на основе магнитореологического эластомера для активной виброизоляции нанотехнологичекого оборудования - page 5

5
Демпфер на основе магнитореологического эластомера ...
зывает, что изменение порядка в расположении элементов системы
способно создать действующее напряжение.
Очень важно также, что изменение термодинамических параметров
при деформации идеального эластомера качественно такое же, как и в
идеальном газе. Действительно, для идеального газа при изотермиче-
ском сжатии давление увеличивается исключительно благодаря умень-
шению энтропии, как и при изотермическом растяжении эластомера:
.
dS p T
dV
(5)
По аналогии с идеальным газом уравнение (4) называют уравнени-
ем состояния идеального эластомера. Если в идеальном газе или иде-
альном эластомере упругость обусловлена только изменением энтропии
(порядка в расположении элементов системы), то в идеальном кристал-
ле упругость определяется только изменением расстояний между узла-
ми кристаллической решетки, что сопровождается для равновесного
процесса деформирования (
Т
= const,
V
= const) соответствующим из-
менением внутренней энергии
U f
l
при сохранении порядка в рас-
положении элементов системы.
Проанализируем на разных частотах режимы работы системы полу-
активной виброизоляции [6], схема которой приведена на рис. 1. Систе-
ма полуактивной виброизоляции позволяет настраивать вязкоупругие
свойства подвески объекта на требуемый частотный диапазон при воз-
действии внешних возмущающих сил для наиболее эффективного демп-
фирования колебаний. Такая система не может регулировать положение
виброизолируемого объекта, так как в ней нет исполнительных меха-
низмов для перемещения.
Здесь объект массой
m
соединен с основанием упругой связью с
коэффициентом жесткости
C
изм
и демпфирующим элементом с коэффи-
циентом вязкостного трения
K
изм
, величина которых может регулиро-
ваться за счет подачи управляющего сигнала в МР-демпфер.
Уравнение движения объекта описывается уравнением:
0,
mx K x
C x
  
  

èçì
èçì
(6)
где
х
— смещение объекта; ξ — смещение
основания.
При гармоническом возбуждении смеще-
ние основания определяется формулой
cos ,
A t
  
Рис. 1.
Схема системы по-
луактивной виброизоляции
1,2,3,4 6,7,8,9,10,11,12,13
Powered by FlippingBook