Свойства проводящего канала в тонких пленках субоксида кремния
Авторы: Захаров П.С., Зайончковский В.С., Баскаков Е.Б.
Опубликовано в выпуске: #6(18)/2013
DOI: 10.18698/2308-6033-2013-6-797
Раздел: Наноинженерия
Проведен анализ вольт-амперных характеристик МДП-структур для различных температур. Основное внимание уделено проводящему каналу в матрице нестехиометрического оксида кремния. С помощью построения графиков в различных координатах установлено, что лимитирующим механизмом проводимости является эффект Шоттки. Температурная зависимость тока для заданного напряжения позволила определить величину энергетического барьера 0,12 эВ. Показано, что увеличение температуры образца на 200K приводит к значительному снижению эффективной диэлектрической проницаемости материала проводящего канала, что позволяет говорить о дипольной поляризации вещества. Такое поведение может быть обусловлено высоким содержанием заряженных дефектов в матрице нестехиометрического оксида, которые представляют собой трехкоординированные атомы кремния, обладающие большей способностью к ориентации в электрическом поле, чем четырехкоординированные.
Литература
[1] Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов: Кн. 1. Сурис Р. А., ред. Москва, Мир, 1984, 456 с.
[2] Зеегер К. Физика полупроводников. Москва, Мир, 1977, 606 с.
[3] Jun Yao, Lin Zhong, Douglas Natelson, and James M. Tour. Etching-dependent reproducible memory switching in vertical SiO2 structures. Appl. Phys. Letters, 2008, 93, 253101
[4] Electronic devices containing switchably conductive silicon oxides as a switching element and methods for production and use thereof. Patent application number: 20110038196. United States Patent Application Publication, Feb. 17, 2011
[5] Sarikov A., Litovchenko V, Lisovskyy I., Maidanchuk I. and Zlobin S., Appl. Phys. Letters, 91(13), 133109 (2007)
[6] Mehonic A. et al. Resistive switching in silicon suboxide films. J. of Appl. Phys., 111, 074507 (2012)
[7] Simmons J.G. Poole-Frenkel effect and Schottky effect in metal-insulator-metal systems. Phys. Rev, 1967, N 155(3), pp. 657-660
[8] Красников Г.Я., Зайцев Н.А. Система кремний — диоксид кремния в субмикронных СБИС. Москва, Техносфера, 2003, 384 с.