Previous Page  5 / 10 Next Page
Information
Show Menu
Previous Page 5 / 10 Next Page
Page Background

Прикладные аспекты высокочастотной модели Зоммерфельда…

Инженерный журнал: наука и инновации

# 12·2017 5

1 2/3

0

2/3

( )

( )

0

exp{

( ) }

,

1 exp[ (

)

( ) ]

 

 

   

K

m

m

K

m

m

L

s

C

s ds

s

ik S S

s ds

(4)

являющегося обобщением формул Келлера для случая цилиндра

с покрытием.

Здесь

 

s

— радиус кривизны контура в текущей точке;

 

s

толщина слоя в той же точке;

/3

1/3

0

;

6

i

m

m

k

i

e q

 

    

 

S

— периметр

границы;

2

2

0

( )

1

,

( )

L

k

s

S

ds

s

k

 

  

1

0

( )

2

0 1

2

0

( )

( )

,

1

,

( )

s K

s K

k

s

S K K

ds

s

k

  

1

0

( )

2

0 1

2

0

( )

( )

,

1

( )

s L

s L

k

s

S L L

ds

s

k

  

— поправки, учитывающие наличие

покрытия. При отсутствии покрытия все слагаемые с нижним индек-

сом «

» обращаются в нуль. Наличие в выражении (4) двух слагае-

мых соответствует распространению вокруг препятствия бесконеч-

ного набора обегающих волн двух типов: первый — против часовой

стрелки, второй — по часовой стрелке. При этом в отличие от пред-

ставления (1) ни одно из них не отбрасывается. Тем самым проблема

рэлеевского представления снимается при переходе к обобщению

метода Зоммерфельда (проблема 3 — см. выше). Кроме того, при та-

ком негюйгенсовом характере распространения дифракционного по-

ля наличие тонкого (по сравнению с длиной волны) слоя диэлектрика

на металлической поверхности не представляет никаких затрудне-

ний, т. е. снимается проблема 2. Детали вывода представления (4) из-

ложены в работе [12] и в содержащихся в ней ссылках.

Обратная задача синтеза диэлектрического покрытия метал-

лического цилиндра, подавляющего рассеяние поля в заданном

направлении.

Явное асимптотическое приближение вида (4) дает

также возможность явного решения обратной задачи синтеза диэлек-

трического (антирадарного) покрытия, обеспечивающего подавление

рассеяния в заданном направлении [12].

При требовании выполнения интерференционного взаимного по-

гашения обежавшего препятствие дифракционного поля и геометро-

оптической его части в освещенной области получим явную формулу

для относительной диэлектрической проницаемости, обеспечиваю-

щей необходимый эффект, если ограничиться лишь первым слагае-

мым ряда (4), использовав его быструю сходимость, что снимает

проблему 1: