Инженерный журнал: наука и инновацииЭЛЕКТРОННОЕ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ИЗДАНИЕ
свидетельство о регистрации СМИ Эл № ФС77-53688 от 17 апреля 2013 г. ISSN 2308-6033. DOI 10.18698/2308-6033
  • Русский
  • Английский
Статья

Модель образования термостабильных дефектных центров при облучении арсенида галлия нейтронами

Опубликовано: 15.10.2013

Авторы: Косушкин В.Г., Горбунов А.К.

Опубликовано в выпуске: #6(18)/2013

DOI: 10.18698/2308-6033-2013-6-806

Раздел: Наноинженерия

Предложена модель трансформации дефектов в термостабильные дефектные центры, обладающие донорными свойствами в арсениде галлия, облученном нейтронами. Природа этих центров определяется взаимодействием искусственных радиационных дефектов с примесями и равновесными дефектами кристалла. Показано, что облучение нейтронами при температуре выше комнатной можно использовать не только для изучения природы и закономерностей дефектообразования, но и как способ направленного изменения свойств кристаллов.


Литература
[1] Болтакс Б.И., ред. Точечные дефекты в твердых телах. Новости физики твердого тела. Москва, Мир, 1979, вып. 9, 379 с.
[2] Аствацатурьян Е.Р, Громов Д.В., Ломако В.М. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия. Минск, Изд-во "Университетское", 1992, 218 с.
[3] Глориозова Р.М., Колесник Л.И., Колин Н.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в арсениде индия. ФТП, 1988, т. 22, вып. 3, с. 507-509
[4] Колин Н.Г., Куликова Л.В., Освенский В.Б. Дефекты в полупроводниковом арсениде галлия. ФТП, 1988, т. 26, вып. 6, с. 1025-1030
[5] Брудный В.Н., Будницкий Д.Л., Малисова Е.В. Радиационно-модифицированный арсенид галлия. Изв. вузов, сер. Физика, 1992, № 10, с. 61-66
[6] Зайцева Т.Н., Колин Н.Г., Кухто О.Л., Нарочный К.Н., Нойфех А.И. Дефектообразование при отжиге монокристаллов арсенида галлия. ФТП, 1994, т. 28, вып. 11, с. 2041-2044
[7] Брудный В.Н., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И.., Новиков В.А. Образование дефектов в эпитаксиальных слоях. ФТП, 2001, т. 35, вып. 6, с. 739-744
[8] Брудный В.Н., Колин Н.Г., Потапов А.И. Радиационное модифицирование арсенида галлия. ФТП, 2003, т. 37, вып. 4, с. 408-413
[9] Айзенштат Г.В., Ардышев В.М., Колин Н.Г. Меркурисов Д.И. Ядерное легирование полупроводников. "Электронная промышленность". Наука, Технология, 2002, вып. 2/3, с. 69-72
[10] Boyko V.M., Bublik V.T., Dabiran A. et al. Neutron irradiation Effect in p-GaN. J. Vac. Sci. Technol, 2006, B24(5), pp. 2256-2261