Инженерный журнал: наука и инновацииЭЛЕКТРОННОЕ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ИЗДАНИЕ
свидетельство о регистрации СМИ Эл № ФС77-53688 от 17 апреля 2013 г. ISSN 2308-6033. DOI 10.18698/2308-6033
  • Русский
  • Английский

Поиск по ключевому слову "AlAs/GaAs гетероструктура"


Исследования деградации резонансно-туннельных диодов на базе AlAs/GaAs наногетероструктур

Опубликовано: 15.10.2013

Авторы: Макеев М.О., Иванов Ю.А., Мешков С.А., Литвак Ю.Н., Ветрова Н.А.

Опубликовано в выпуске: #6(18)/2013

DOI: 10.18698/2308-6033-2013-6-811

Раздел: Наноинженерия